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Construção e caracterização de fotodetetores metal-semicondutor-metal (MSM).; Construction and characterization of metal-semiconductor-metal (MSM) photodetectors.

Ohta, Ricardo Luís
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 25/08/2006 Português
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26.80544%
Este trabalho teve como objetivo principal a fabricação de fotodetetores do tipo Metal-Semicondutor-Metal (MSM) com corrente de escuro da ordem de 1 nA, responsividade da ordem de 0,1 A/W e razão fotocorrente/corrente de escuro de pelo menos 10. Estes valores asseguram que os fotodetetores obtidos tenham sensibilidade suficiente para serem utilizados em sensores ópticos integrados. Todos os materiais utilizados na construção dos fotodetetores MSM são compatíveis com processos convencionais de fabricação em microeletrônica, facilitando a integração com outros dispositivos em estado sólido. O semicondutor utilizado nos fotodetetores foi o silício, na forma monocristalina ou policristalina. Como material de eletrodo, foi utilizado o alumínio, o titânio ou o níquel. No processo de fabricação básico, foram utilizados apenas três etapas: deposição do filme metálico, fotolitografia e corrosão, confirmando a simplicidade de fabricação desse fotodetetor. Através da construção de dispositivos com diferentes geometrias e diferentes combinações dos materiais citados acima, foi possível verificar a influência que a estrutura cristalina do semicondutor, tipo de dopagem do semicondutor, geometria e material de eletrodo tem sobre o desempenho e o comportamento dos MSMs. O comprimento de onda de 632...

Propriedades termo-mecânicas de filmes finos de a-SiC:H e SiOxNy e desenvolvimento de MEMS.; Thermo-mechanical properties of a-SiC:H and SiOxNy thin films and development of MEMS.

Rehder, Gustavo Pamplona
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 12/11/2008 Português
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27.22208%
O presente trabalho, realizado junto ao Grupo de Novos Materiais e Dispositivos (GNMD), no Laboratório de Microeletrônica do Departamento de Sistemas Eletrônicos da Escola Politécnica da USP, visou determinar algumas das propriedades termo-mecânicas de materiais depositados pela técnica de plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) que são importantes para o desenvolvimento de sistemas microeletromecânicos (MEMS). O módulo de elasticidade, a tensão mecânica residual, o coeficiente de expansão térmica e a condutividade térmica de filmes finos de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SiC:H) e de oxinitreto de silício (SiOxNy) foram estudados. Medidas de nanoindentação e ressonância de cantilevers foram utilizadas para a obtenção do módulo de elasticidade e os resultados obtidos foram similares (75 e 91 GPa) pelos dois métodos e compatíveis com valores encontrados na literatura. Além disso, obteve-se o módulo de elasticidade de filmes de cromo (285 GPa). A tensão mecânica residual dos filmes utilizados neste trabalho foi medida através da curvatura do substrato induzida pela deposição dos filmes e pela deformação de cantilevers. O valor médio da tensão mecânica, obtido pela curvatura do substrato...

Estudos da corrosão anisotrópica do silício frente soluções de KOH e sais metálicos.; Monocristalin silicon anisotropic etching study in KOH solution with metallic salts.

Silva, Felipe José Ferreira Sabino da
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 18/03/2008 Português
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26.80544%
Nos últimos anos tem se dado uma evolução muito grande na área industrial de MEMS, e esta se caracteriza por desenvolvimento dos processos de microeletrônica para diminuição de custos e a própria integração de diferentes sistemas que passam a ser muito confiáveis em diferentes aplicações. Motivado pelas tendências de elevar os conhecimentos de processos para obtenção de MEMS, foi proposto um trabalho de corrosão anisotrópica de silício utilizando solução de hidróxido de potássio (KOH) junto com a adição de sais metálicos. O objetivo é comprovar o efeito de compensação cinética da reação e a influência destes metais no caráter anisotrópico e nas taxas de corrosão. Foi analisado o efeito de zinco, alumínio e cobre, e puderam ser observadas alterações nas taxas de corrosão e, conseqüentemente, nas geometrias resultantes no corpo de silício. Com a caracterização dessas mudanças comprovou-se suposições anteriores de que o efeito de compensação cinética encontrado na síntese direta de dimetilclorosilana (DMDCS) e silício, também ocorreria para a corrosão de silício em KOH, pois esses processos obedecem a lei de Arrhenius e tem um comportamento anisotrópico em silício. Os resultados obtidos...

Aplicação da programação geométrica no projeto de filtros Gm-C para receptores RF CMOS.; Application of geometric programming to the desing og GM-C filters for CMOS RF receivers.

Oliveros Hincapié, Jorge Armando
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 08/11/2010 Português
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A tendência do mercado da microeletrônica é integrar em um mesmo chip sistemas eletrônicos completos, incluindo simultaneamente circuitos analógicos, digitais e RF. Por causa da complexidade do problema de projeto, a parte analógica e RF desses sistemas é o gargalo do desenvolvimento. Uma alternativa de projeto para circuitos analógicos é formular o projeto como um problema de otimização matemática conhecido como programação geométrica. As vantagens são: o ótimo global é obtido eficientemente, e é possível fazer automatização do projeto. A principal desvantagem é que não todos os parâmetros e equações que modelam um circuito são compatíveis com a forma desse problema de otimização. Os receptores para sistemas de comunicação modernos realizam o processo de downconvertion usando uma freqüência intermediária baixa ou diretamente em banda-base. As topologias de receptor Zero-IF e Low-IF são preferidas por sua alta capacidade de integração e baixo consumo de área e de potência. Os filtros analógicos são blocos de composição básicos nesses sistemas. Neste trabalho é desenvolvida uma metodologia de projeto baseada na aplicação de programação geométrica para projeto de filtros Gm-C. A metodologia de projeto foi usada para projetar filtros analógicos complexos e reais para os padrões de comunicação Bluetooth e Zigbee IEEE/802.15.4. Os resultados obtidos mostram que a metodologia de projeto proposta neste trabalho é uma solução efetiva para reduzir o tempo de projeto e otimizar o desempenho de filtros analógicos.; The tendency of the microelectronic market is to integrate in the same chip complete electronic systems...

Desenvolvimento de sistemas Lab-on-a-Chip para análises em biofísica celular.; Development of Lab-On-Chip systems for biophysical analysis.

Lopera Aristizábal, Sergio
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 08/03/2012 Português
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27.06336%
Este estudo tem por objetivo o desenvolvimento de uma metodologia de fabricação de sistemas Lab On Chip, úteis no estudo de processos celulares, a partir da adaptação de tecnologias próprias da microeletrônica. Foram exploradas todas as etapas envolvidas na fabricação de sistemas Lab On Chip em Poli-Di-Metil-Siloxano e desenvolvidos protocolos de fabricação de moldes, técnicas de moldagem e processos de ativação de PDMS com plasma de oxigênio para sua solda química sobre diferentes materiais, obtendo uniões irreversíveis que permitem a integração com outras tecnologias como a microeletrônica em silício e o encapsulamento com cerâmica verde, completando uma metodologia que permite a prototipagem de dispositivos micro-fluídicos de multicamadas com um nível de sofisticação comparável ao estado da arte. Foi desenvolvido o protótipo de um equipamento ótico para litografia por projeção que permite a fabricação de máscaras óticas com resolução de 5 m e oferece a possibilidade de litografia em escala de cinzas para gerar canais e estruturas com relevos arbitrários. Foram adicionalmente abordados três problemas de biofísica celular, para os quais foram propostos novos dispositivos para separação de células móveis de acordo às suas velocidades lineares...

Sequência simples de fabricação de transistores SOI nMOSFET.; Simple sequence of manufacture of transistors SOI nMOSFET.

Rangel, Ricardo Cardoso
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 10/02/2014 Português
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27.22208%
Neste trabalho é desenvolvido de forma inédita no Brasil um processo simples de fabricação de transistores FD SOI nMOSFET (Fully-Depleted Silicon-On-Insulator) com porta de silício policristalino, para servir como base para futuros desenvolvimentos e, também, com finalidade de educação em microeletrônica. É proposta uma sequência de etapas de fabricação necessárias para a obtenção do dispositivo FD SOI nMOSFET, usando apenas 3 etapas de fotogravação e usando o óxido enterrado, intrínseco à tecnologia SOI, como região de campo, objetivando a obtenção do processo mais simples possível e eficiente. São apresentados os procedimentos detalhados de todas as etapas de fabricação executadas. Para obtenção da tensão de limiar de 1V foram fabricadas amostras com 2 doses diferentes de implantação iônica, 1,0x1013cm-2 e 1,2x1013cm-2. Estas doses resultaram em tensões de limiar (VTH) de 0,72V e 1,08V; respectivamente. Como esperado, a mobilidade independente de campo (0) é maior na amostra com dose menor, sendo de 620cm²/Vs e, para a dose maior, 460cm²/Vs. A inclinação de sublimiar é calculada através da obtenção experimental do fator de acoplamento capacitivo () 0,22; para as duas doses, e resulta em 73mV/déc. O ganho intrínseco de tensão (AV) mostrou-se maior na amostra com maior dose em função da menor condutância de saída...

Modelagem de plataformas virtuais colaborativas móveis aplicada à educação em micro e nano tecnologias.; Modeling of mobile collaborative virtual platform applied to education in micro and nano technology.

Rosa, Carlos Alberto
Fonte: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP Publicador: Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Publicado em 17/03/2014 Português
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27.06336%
Este trabalho apresenta contribuições do autor na área da educação em engenharia, no campo da Educação em Micro e Nanoeletrônica (Microeduc) e Educação em Nanociências e Nanotecnologias (Nanoeduc) no Brasil. É apresentada a modelagem de duas plataformas virtuais experimentais denominadas microEDUC e nanoEDUC para compartilhar saberes e práticas docentes. Ferramentas de edição colaborativas e armazenamento online de mídias permitem que educadores organizem e compartilhem seus saberes a ensinar (ementas, planejamentos, planos de cursos, planos de ensino-aprendizagem, planos de aula e agendas) e saberes ensinados (práticas e experiências docentes, lista de exercícios, apresentações, videoaulas, WebQuests, apostilas, livros eletrônicos, materiais didáticos, etc.). Oficinas com estratégias de aprendizagem colaborativa móvel foram modeladas e testadas com o objetivo de estimular a curiosidade e o interesse de professores e estudantes sobre as áreas de projetos de circuitos integrados e de fabricação de dispositivos microeletrônicos. As plataformas virtuais colaborativas testadas foram ativadas na internet com o pacote de serviços Google Apps com os complementos Google Apps Script, Google App Engine, Google Sites API...

Organização da produção e do trabalho em ambiente de comando numérico

Salles, Jose Antonio Arantes
Fonte: Fundação Getúlio Vargas Publicador: Fundação Getúlio Vargas
Tipo: Dissertação
Português
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26.80544%
Trata das modificações ocorridas na organização da produção e na organização do trabalho em função da introdução de tecnologia de base microeletrônica em empresas industriais. Estas modificações são associadas aos fatoreseconômicos, políticos e sociais que as determinam, a partir de urna dada base tecnológica potencial. No estudo da situação brasileira dá-ênfase à introdução e difusão de máquinas-ferrarnenta de comando numérico, hem como aos possíveis impactos causados por este processo

A transformação das ocupações e as mudanças nos métodos de trabalho a partir da revolução da microeletrônica

Feldmann, Paulo Roberto
Fonte: Fundação Getúlio Vargas Publicador: Fundação Getúlio Vargas
Tipo: Tese de Doutorado
Português
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26.80544%
Trata dos recentes avanços da microeletrônica e da informática enfatizando a questão dos impactos sobre as formas de produção não somente no setor indus trial mas também no setor terciário. Enfatiza a questão do desemprego tecnológico analisando as profissões e ocupações que serão mais atingidas e, detendo-se nas implicações gestionais e organizacionais para as empresas. Propõe medidas que poderão atenuar as eventuais implicações sociais principalmente no que se refere aos níveis de desemprego.

Inserção de testabilidade em um núcleo pré-projetado de um microcontrolador 8051 fonte compatível

Back, Eduardo Santos
Fonte: Universidade Federal do Rio Grande do Sul Publicador: Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Tipo: Dissertação Formato: application/pdf
Português
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26.80544%
No intuito de validar seus projetos de sistemas integrados, o Grupo de Microeletrônica da UFRGS tem investido na inserção de estruturas de teste nos núcleos de hardware que tem desenvolvido. Um exemplo de tal tipo de sistema é a “caneta tradutora”, especificada e parcialmente desenvolvida por Denis Franco. Esta caneta se utiliza de um microcontrolador 8051 descrito em VHDL, o qual ainda carece de estruturas dedicadas com funções orientadas à testabilidade. Este trabalho exemplifica a integração de teste em um circuito eletrônico préprojetado. Neste caso específico, foi utilizado o microcontrolador 8051 fonte compatível que será inserido no contexto da caneta tradutora. O método utilizado apoiou-se na norma IEEE1149.1, destinada a definir uma infra-estrutura baseada na técnica do boundary scan para o teste de placas de circuito impresso. São apresentadas características de testabilidade desenvolvidas para o microcontrolador, utilizando-se a técnica do boundary scan em sua periferia e a técnica do scan path em seu núcleo. A inserção destas características de teste facilita a depuração e testes em nível de sistema, imaginando-se o sistema como algo maior, fazendo parte do sistema da caneta tradutora como um todo. São elaborados exemplos de testes...

Uma proposta para auxiliar a interoperabilidade entre ambientes e ferramentas independentes de CAD para microeletrônica

Togni, João Daniel
Fonte: Universidade Federal do Rio Grande do Sul Publicador: Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Tipo: Dissertação Formato: application/pdf
Português
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37.22208%
Os projetos de CIs (Circuitos Integrados) atualmente compreendem muitas tarefas para sua execução. Durante um fluxo de projeto de CI são necessárias ferramentas que lidam com essas diferentes tarefas. Algumas empresas compilam diversas ferramentas em um único ambiente, ou framework, onde tais ferramentas são adaptadas para interagir entre si. O uso desses frameworks é suficiente para muitos projetos, porém podem existir requisitos que obriguem a utilização de ferramentas independentes para suprir deficiências dos ambientes, exigindo a utilização conjunta de ferramentas não projetadas para cooperar. A interoperabilidade entre sistemas computacionais tem se tornado um tópico de extrema importância. Ela possibilita a execução conjunta de ferramentas, diminuindo a necessidade de intervenção humana para tanto. A interoperação entre ferramentas independentes e frameworks é importante não somente para facilitar o uso conjunto de ferramentas, mas também permite que outros tópicos sejam explorados. Entre eles estão o trabalho de equipes geograficamente distantes e a possibilidade de trabalho com grandes quantidades de dados, que são duas questões importantes para microeletrônica. Ainda, a interoperação entre ferramentas independentes e ambientes traz benefícios mútuos: as ferramentas podem utilizar funcionalidades dos ambientes e se adaptar aos fluxos de projeto deles; os ambientes podem ter suas funcionalidades estendidas pela inclusão de novas ferramentas em seu trabalho. Essas questões são especialmente importantes para pequenas empresas ou ferramentas acadêmicas que não têm condições de incorporar em suas ferramentas muitos dos procedimentos que os ambientes oferecem. Este trabalho apresenta uma proposta para auxiliar a interoperação entre ferramentas independentes e frameworks relevantes para a microeletrônica...

Estudo e implementação de somador com detecção de fim de cálculo para circuitos assíncronos; Study and implementation of adders with completion detection targeted to asynchronous circuits design

Sartori, Giovani Heriberto
Fonte: Universidade Federal do Rio Grande do Sul Publicador: Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Tipo: Dissertação Formato: application/pdf
Português
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26.80544%
É contínua a procura por técnicas de construção de circuitos que ajudem a minimizar os problemas existentes no mercado de microeletrônica atual. Uma alternativa para a resolução destes problemas consiste na utilização de circuitos assíncronos. Circuitos aritméticos são alvo de um contínuo esforço na busca de melhores resultados de desempenho e área. Em especial o somador é uma das partes constituintes desta classe de circuitos que apresenta interessante campo para pesquisas. Este trabalho apresenta um método de avaliação de somadores implementados através do uso de famílias lógicas CMOS dual-rail. Esta tarefa é realizada através do uso de um circuito assíncrono que serve como base de avaliação. Este circuito obedece ao protocolo de comunicação utilizado pelos somadores e nele são desenvolvidas diversas aplicações para que seja possível avaliar o comportamento dos somadores quando expostos a diferentes padrões de vetores. Os parâmetros avaliados nas estruturas dos somadores são número de transistores, atraso e consumo de potência para topologias carry look-ahead e ripple carry adders. Na avaliação dos somadores através de simulação elétrica são utilizadas as ferramentas Pspice e Spectre da Cadence. As tecnologias utilizadas nesta caracterização são AMI 0.5 da MOSIS e AMS 0.35. Como resultados são apresentados dados que demonstram a economia no número de transistores obtida através do uso da técnica de múltiplas saídas para o CLA...

Desenvolvimento e otimização de tecnologia CMOS com porta de silício policristalino

Pesenti, Giovani Cheuiche
Fonte: Universidade Federal do Rio Grande do Sul Publicador: Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Tipo: Tese de Doutorado Formato: application/pdf
Português
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26.80544%
Um chip conversor A/D (analógico/digital) foi utilizado para o desenvolvimento da tecnologia CMOS de 5 μm com poço tipo-p e porta de silício policristalino no Laboratório de Microeletrônica (LμE) do Instituto de Física da UFRGS. Vários equipamentos foram adquiridos ou fabricados para o desenvolvimento desta tecnologia. Após a fabricação do chip, medidas elétricas foram realizadas nos blocos lógicos do circuito e em estruturas de teste. Utilizando as ferramentas de simulação do pacote de software ISE-TCAD, o processo e os dispositivos foram simulados. Através das medidas elétricas dos dispositivos fabricados e de medidas realizadas durante o processo, foram obtidos os parâmetros da tecnologia CMOS, quais foram ajustados pelo software ADS ( Advanced Design System) utilizando o modelo SPICE nível 3. A análise dos parâmetros permitiu a verificar os principais ajustes a serem feitos na lista tecnológica, que foram a alta concentração de dopantes no poço e a alta resistência de folha nas regiões fonte/dreno do transistor PMOS. Como principal resultado deste trabalho, enfatizamos a integração da infra-estrutura entre o CAD de simulação de tecnologia e dispositivos e o conjunto de equipamentos na sala limpa do LμE...

O sistema tentos for windows : um gerenciador de ferramentas para microeletrônica; The TENTOS systems for windows - a tools manager for microelectronic

Mahlmann, Luiz Gustavo Galves
Fonte: Universidade Federal do Rio Grande do Sul Publicador: Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Tipo: Dissertação Formato: application/pdf
Português
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26.80544%
Este trabalho apresenta um gerenciador de ferramentas para projeto de circuitos integrados, o sistema TENTOS, agora desenvolvido para o ambiente MS-WINDOWSTM. O ambiente TENTOS é um sistema aberto, isto é, permite a fácil inclusão de novas ferramentas em tempo de execução do gerenciador, tornando-o desta forma sempre atual em relação as ferramentas existentes. Inicialmente será feita uma breve descrição de alguns dos gerenciadores existentes, tanto os desenvolvidos com finalidades comerciais como os do meio acadêmico Em seguida, será apresentado um histórico sobre a evolução do sistema TENTOS, da sua versão inicial até a sua versão atual. Em uma etapa seguinte será descrito o estado atual do sistema TENTOS, isto é, suas características principais a estrutura dos menus, os arquivos de configuração do sistema. como incluir novas ferramentas, arquivos de tecnologia, a configuração standard do sistema, quais ferramentas acompanham o TENTOS; como funciona a execução das ferramentas. Concluída a apresentação do sistema TENTOS, sendo apresentados exemplos que ilustram as etapas de desenvolvimento de um projeto de circuito integrado utilizando o sistema TENTOS.; This dissertation presents a tool mana ger for integrated circuit design...

Estudo e implementação de lógica adiabática para circuitos integrados com baixo consumo; Study and implementation of adiabatic logic for low-power integrated circuits

Machado, Lucas
Fonte: Universidade Federal do Rio Grande do Sul Publicador: Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Tipo: Trabalho de Conclusão de Curso Formato: application/pdf
Português
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27.06336%
Este trabalho está inserido no ramo de microeletrônica, mais especificamente em circuitos integrados de baixo consumo. Trata-se de um campo importante visando diminuir o consumo de energia mundial, possibilitar a utilização de equipamentos com fonte de baterias por mais tempo e diminuir o custo de resfriamento de circuitos, além do consumo de energia do circuito propriamente dito. Existem diversos tipos de lógica que implementam circuitos integrados, sendo a lógica CMOS a mais utilizada por sua robustez, desempenho e eficiência. O tema do trabalho é a lógica adiabática, que tenta reaproveitar a energia descarregada do circuito, diminuindo o consumo. Há outras formas de conseguir diminuir o consumo do circuito como diminuir a tensão de alimentação, mas isso leva a diminuição de desempenho. Foram desenvolvidas nas últimas décadas diversas formas de implementação da lógica adiabática, criando-se várias famílias dessa lógica. Juntamente com essas famílias foram implementados circuitos de maior complexidade para comparação de consumo, sempre com vantagens em relação ao CMOS na tecnologia da época. Este trabalho está inserido no ramo de microeletrônica, mais especificamente em circuitos integrados de baixo consumo. Trata-se de um campo importante visando diminuir o consumo de energia mundial...

Comutador de dados digitais para tdm deterministico e1, visando uma implementação em microeletrônica; Data digital switch for E1 deterministic tdm, looking toward a microelectronics implementation

Agurto Hoyos, Oscar Pedro
Fonte: Universidade Federal do Rio Grande do Sul Publicador: Universidade Federal do Rio Grande do Sul
Tipo: Dissertação Formato: application/pdf
Português
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37.06336%
Este trabalho consiste na especificação e desenvolvimento da arquitetura de um Comutador Digital para TDM Determinístico E1, visando sua posterior implementação em microeletrônica. Inicialmente são apresentados os conceitos gerais sobre os Sistemas de Comutação, bem como das principais modalidades de comutação, seguidos de um estudo aprofundado da Comutação de Circuitos e suas técnicas mais utilizadas, devido a sua Intima relação com a multiplexação TDM e a hierarquia E1. Do mesmo modo, são descritas as características das Redes Corporativas E1 e dos multiplexadores E1, junto com as funções principais do Comutador dentro do ambiente de uma rede ponto-a-ponto. Com base no estudo prévio, e proposta a arquitetura de um Comutador Digital baseado em técnicas TSI capaz de fornecer funções de comutação local e remota entre os dispositivos conectados aos multiplexadores El, que formam os nos de uma Rede Corporativa com controle centralizado. 0 projeto logico e a simulação do Comutador Digital foram realizados dentro do framework SOLO/Cadence, usando a biblioteca de Standard Cells da tecnologia CMOS de 1.2µ. O simulador lógica SILOS, disponível no SOLO/Cadence, foi utilizado para validar a arquitetura proposta. Detalhes de implementação e resultados de simulação são apresentados. O módulo de controle do Comutador Digital e apenas especificado.; This work consists in the specification and development of a Digital Circuit Switch architecture for E1l Deterministic TDM...

Nova tecnologia de obtenção de feixe de ions de erbio com implantador de media corrente utilizado em microeletronica

Nelmo Cyriaco da Silva
Fonte: Biblioteca Digital da Unicamp Publicador: Biblioteca Digital da Unicamp
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: application/pdf
Publicado em 18/11/1999 Português
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A tecnologia descrita neste trabalho foi desenvolvida para obtenção de feixe de íons de Érbio usando um equipamento implantador de íons tipicamente voltado à aplicações em microeletrônica. O Érbio é um elemento químico fundamental, que quando da sua incorporação em substratos ópticos e/ou semicondutores, dá origem a radiação estimulada, essencial em dispositivos fotônicos. A implantação iônica do Érbio em contraste com a difusão apresenta as vantagens inerentes a este processo como por exemplo: perfil vertical, doses elevadas, processamento com baixa energia térmica entre outras. A tecnologia aqui detalhada, faz uso da fonte de íons original do equipamento e focaliza atenção na câmara de arco da fonte. Átomos de Érbio duplamente ionizados foram produzidos por um processo de sputtering enriquecido por plasma reativo e acelerados com a voltagem de 200kV, atingindo feixes com energias próximas de 400keV. Correntes de até 100mA foram obtidas o que resultam em doses da ordem de 1 x 1017cm-2 parâmetros estes, suficientes para fabricação de dispositivos fotônicos - optoeletrônicos planares; The technology described herein is intended to produce Erbium beams, using typical ion implanter equipment normally used for microelectronics application. Erbium is a fundamental specie whose incorporation into optical or semiconductor substrates produces stimulated radiation that allows the fabrication of Photonics devices. The Erbium ion implantation in contrast to the diffusion process has all the inherent advantages of ion implantation i.e....

A indústria microeletrônica no Brasil e na Coreia do Sul

Ibrahim, Hermano Caixeta
Fonte: Universidade Federal de Santa Catarina Publicador: Universidade Federal de Santa Catarina
Tipo: Dissertação de Mestrado Formato: 284 p.| il., grafs., tabs.
Português
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Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Sócio-Econômico, Programa de Pós-Graduação em Economia, Florianópolis, 2015.; O paradigma tecnológico da microeletrônica nasce na segunda metade da década de 1970 conferindo maior versatilidade, automação e independência às máquinas do paradigma tecnológico da metal-mecânica. Em meio à mudança no padrão de desenvolvimento tecnológico industrial se observa uma mudança no arranjo institucional internacional durante a década de 1980 responsável pelos distintos desenvolvimentos do Brasil e da Coreia do Sul. Sendo assim, o presente trabalho vem dissertar sobre as distintas trajetórias de desenvolvimento econômico do Brasil e da Coreia do Sul ao longo do paradigma tecnológico da microeletrônica a partir da analise neo-schumpeteriana e institucional. Para tanto, o trabalho analisa de forma comparativa os arranjos institucionais e os esforços de desenvolvimento tecnológicos empreendidos por ambos os países na indústria de microeletrônica. Primeiramente, no campo teórico, o trabalho se preocupa em abordar e discutir a escola neo-schumpeteriana e institucional no tocante aos principais conceitos, objetos de analise e a relação com o desenvolvimento econômico. Os respectivos conceitos corroboram com o entendimento a cerca da importância da relação do ambiente institucional com o paradigma tecnológico vigente e o impacto dessa interação sobre ao desenvolvimento econômico. Em seguida...

A rede social acadêmica da microeletrônica : rumo ao aprendizado ativo

Neves, Ana Maria da Silva
Fonte: Universidade de Brasília Publicador: Universidade de Brasília
Tipo: Dissertação
Português
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Dissertação (mestrado)—Universidade de Brasília, Centro de Desenvolvimento Sustentável, 2010.; O objetivo desta dissertação é prospectar a base de especialistas acadêmicos que trabalham na área de microeletrônica no Brasil, com a finalidade de contribuir na formulação de políticas públicas que viabilizem a inserção, em médio prazo, do setor de semicondutores em um sistema de aprendizado ativo e, em longo prazo, a inserção do País no mercado mundial como um ator global. A escassez de recursos humanos qualificados para o desenvolvimento de projetos e processos de fabricação de CIs no país ainda se configura em um dos principais entraves a serem enfrentados pelo Brasil, bem como a falta de interação entre seus diversos atores que trabalham de forma isolada ou em pequenos grupos, além de gargalos na regulamentação que propiciem um ambiente favorável à dinamização do setor. A motivação central para a realização desta pesquisa foi o fato de que a microeletrônica é uma área multidisciplinar que perpassa diversas cadeias produtivas, possibilitando gerar desenvolvimento econômico de forma sustentável e inovação tecnológica no país de maneira duradoura. Para diminuir o gargalo tecnológico do país em relação à produção e comercialização de produtos de alta complexidade tecnológica...

Programa Nacional de Microeletrônica: contribuições para a formulação de um Plano Estruturado de Ações

Brasil. Ministério da Ciência e Tecnologia. Secretaria Executiva. Secretaria de Política de Informática
Fonte: Ministério da Ciência e Tecnologia (MCT) Publicador: Ministério da Ciência e Tecnologia (MCT)
Tipo: Plano de ação
Português
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37.22208%
70 p.; Este documento tem o propósito de identificar oportunidades, para então formular os elementos estruturantes de uma estratégia viável para o desenvolvimento de uma indústria competitiva de microeletrônica no Brasil.; Coordenador André Amaral de Araújo.